Что значит тайминг оперативной памяти. Как узнать тайминг оперативной памяти

По умолчанию все характеристики оперативной памяти компьютера определяются БИОС и Windows полностью автоматически в зависимости от конфигурации оборудования. Но при желании, например, попытке разогнать RAM, есть возможность произвести регулировку параметров самостоятельно в настройках BIOS. К сожалению, сделать это можно не на всех материнских платах, на некоторых старых и простых моделях такой процесс невозможен.

Изменять можно основные характеристики оперативной памяти, то есть тактовую частоту, тайминги и напряжение. Все эти показатели взаимосвязаны. И поэтому к настройке оперативной памяти в БИОС нужно подходить теоретически подготовленным.

Способ 1: Award BIOS

Если на вашей системной плате установлена прошивка от Phoenix/Award, то алгоритм действий будет выглядеть примерно так, как указано ниже. Помните, что названия параметров могут незначительно отличаться.

  1. Делаем перезагрузку ПК. Входим в БИОС с помощью сервисной клавиши или сочетания клавиш. Они бывают различные в зависимости от модели и версии «железа»: Del , Esc , F2 и так далее.
  2. Нажимаем комбинацию Ctrl + F1 для входа в расширенные настройки. На открывшейся странице стрелками переходим в пункт «MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)» и нажимаем Enter .
  3. В следующем меню находим параметр «System Memory Multiplier» . Изменяя его множитель, можно уменьшать или увеличивать тактовую частоту работы оперативной памяти. Выбираем чуть больше действующей.
  4. Можно осторожно увеличить напряжение тока, подаваемого на RAM, но не более чем на 0,15 вольта.
  5. Возвращаемся на главную страницу БИОС и выбираем параметр «Advanced Chipset Features» .
  6. Здесь можно настроить тайминги, то есть время отклика устройства. В идеале, чем меньше этот показатель, тем быстрее функционирует оперативная память ПК. Сначала меняем значение «DRAM Timing Selectable» с «Auto» на «Manual» , то есть на режим ручной регулировки. Затем можно поэкспериментировать уменьшая тайминги, но не более чем на единицу единовременно.
  7. Настройки закончены. Выходим из BIOS с сохранением изменений и запускаем любой специальный тест для проверки стабильности работы системы и RAM, например, в AIDA64 .
  8. При неудовлетворенности результатами настройки RAM повторите по вышеуказанному алгоритму.

Способ 2: AMI BIOS

Если БИОС на вашем компьютере от American Megatrends, то кардинально значительных отличий от Award не будет. Но на всякий случай вкратце рассмотрим этот случай.


Способ 3: UEFI BIOS

На большинстве современных материнских плат стоит UEFI BIOS с красивым и удобным интерфейсом, поддержкой русского языка и компьютерной мыши. Возможности по настройке RAM в такой прошивке очень широкие. Рассмотрим их подробно.

  1. Заходим в БИОС, нажав Del или F2 . Реже встречаются другие сервисные клавиши, узнать их можно в документации или из подсказки внизу экрана. Далее переходим в «Advanced Mode» , нажав F7 .
  2. На странице расширенных настроек переходим на вкладку «Ai Tweaker» , находим параметр «Memory Frequency» и в выпадающем окне выбираем желаемую тактовую частоту оперативной памяти.
  3. Продвигаясь ниже по меню, видим строку «DRAM Timing Control» и нажав на нее, попадаем в раздел регулировки различных таймингов RAM. ПО умолчанию во всех полях стоит «Auto» , но при желании можно попробовать поставить свои значения времени отклика.
  4. Возвращаемся в меню «Ai Tweaker» и заходим в «DRAM Driving Control» . Здесь можно попытаться чуть увеличить множители частоты RAM и ускорить её работу. Но делать это надо осознанно и осторожно.
  5. Опять возвращаемся на прошлую вкладку и далее наблюдаем параметр «DRAM Voltage» , где можно изменять подаваемое на модули оперативной памяти напряжение электрического тока. Повышать вольтаж можно на минимальные значения и поэтапно.
  6. Затем выходим в окно расширенных настроек и передвигаемся во вкладку «Advanced» . Там посещаем «North Bridge» , страницу северного моста материнской платы.
  7. Здесь нас интересует строка «Memory Configuration» , на которую и нажимаем.
  8. В следующем окне можно изменить параметры конфигурации модулей оперативной памяти, установленных в ПК. Например, включить или выключить контроль и коррекцию ошибок (ECC) RAM, определить режим чередования банков оперативной памяти и так далее.
  9. Закончив настройки, сохраняем внесенные изменения, покидаем BIOS и загрузив систему, проверяем работу RAM в любом специализированном тесте. Делаем выводы, исправляем ошибки повторной регулировкой параметров.

Как вы увидели, настройка оперативной памяти в БИОС вполне возможна для опытного пользователя. В принципе, в случае ваших некорректных действий на этом направлении компьютер просто не включится или прошивка сама сбросит ошибочные значения. Но осторожность и чувство меры не помешает. И помните, что износ модулей RAM при увеличенных показателях соответственно ускоряется.

Основные характеристики оперативной памяти (ее объем, частота, принадлежность к одному из поколений) могут быть дополнены еще одним важнейшим параметром - таймингами. Что они представляют собой? Можно ли их изменять в настройках BIOS? Как это делать наиболее корректным, с точки зрения стабильной работы компьютера, образом?

Что такое тайминги ОЗУ?

Тайминг оперативной памяти - это временной интервал, за который команда, отправляемая контроллером ОЗУ, выполняется. Измеряется эта единица в количестве тактов, которые пропускаются вычислительной шиной, пока идет обработка сигнала. Сущность работы таймингов проще понять, если разобраться в устройстве микросхем ОЗУ.

Оперативная память компьютера состоит из большого количества взаимодействующих ячеек. Каждая имеет свой условный адрес, по которому к ней обращается контроллер ОЗУ. Координаты ячеек, как правило, прописываются посредством двух параметров. Условно их можно представить как номера строк и столбцов (как в таблице). В свою очередь, группы адресов объединяются, чтобы контроллеру было "удобнее" находить конкретную ячейку в более крупную область данных (иногда ее называют "банком").

Таким образом, запрос к ресурсам памяти осуществляется в две стадии. Сначала контроллер отправляет запрос к "банку". Затем он запрашивает номер "строки" ячейки (посылая сигнал типа RAS) и ждет ответа. Длительность ожидания - это и есть тайминг оперативной памяти. Его общепринятое наименование - RAS to CAS Delay. Но это еще не все.

Контроллеру, чтобы обратиться к конкретной ячейке, нужен также и номер приписанного к ней "столбца": посылается другой сигнал, типа CAS. Время, пока контроллер ждет ответа, - это тоже тайминг оперативной памяти. Он называется CAS Latency. И это еще не все. Некоторые IT-специалисты предпочитают интерпретировать такое явление, как CAS Latency, несколько иначе. Они полагают, что этот параметр указывает, сколько должно пройти единичных тактов в процессе обработки сигналов не от контроллера, а от процессора. Но, как отмечают эксперты, речь в обоих случаях, в принципе, идет об одном и том же.

Контроллер, как правило, работает с одной и той же "строкой", на которой расположена ячейка, не один раз. Однако, прежде чем обратиться к ней повторно, он должен закрыть предыдущую сессию запроса. И только после этого возобновлять работу. Временной интервал между завершением и новым вызовом строки - это тоже тайминг. Называется он RAS Precharge. Уже третий по счету. На этом все? Нет.

Поработав со строкой, контроллер должен, как мы помним, закрыть предыдущую сессию запроса. Временной интервал между активацией доступа к строке и его закрытием - это тоже тайминг оперативной памяти. Его наименование - Active to Precharge Delay. В принципе, теперь все.

Мы насчитали, таким образом, 4 тайминга. Соответственно, записываются они всегда в виде четырех цифр, например, 2-3-3-6. Кроме них, к слову, есть еще один распространенный параметр, которым характеризуется оперативная память компьютера. Речь идет о значении Command Rate. Оно показывает, какое минимальное время тратит контроллер на то, чтобы переключиться от одной команды к другой. То есть, если для CAS Latency значение - 2, то временная задержка между запросом от процессора (контролера) и ответом модуля памяти составит 4 такта.

Тайминги: порядок расположения

Каков порядок расположения в этом числовом ряду каждого из таймингов? Он практически всегда (и это своего рода отраслевой "стандарт") таков: первая цифра - это CAS Latency, вторая - RAS to CAS Delay, третья - RAS Precharge и четвертая - Active to Precharge Delay. Как мы уже сказали выше, иногда используется параметр Command Rate, его значение пятое в ряду. Но если для четырех предыдущих показателей разброс цифр может быть достаточно большим, то для CR возможно, как правило, только два значения - T1 или T2. Первый означает, что время с момента, когда память активируется, до наступления ее готовности отвечать на запросы должен пройти 1 такт. Согласно второму - 2.

О чем говорят тайминги?

Как известно, объем ОЗУ - один из ключевых показателей производительности этого модуля. Чем он больше - тем лучше. Другой важный параметр - это частота оперативной памяти. Здесь тоже все однозначно. Чем она выше, тем ОЗУ будет работать быстрее. А что с таймингами?

В отношении них закономерность иная. Чем меньше значения каждого из четырех таймингов - тем лучше, тем производительнее память. И тем быстрее, соответственно, работает компьютер. Если у двух модулей с одинаковой частотой разные тайминги оперативной памяти, то и их производительность будет отличаться. Как мы уже определили выше, нужные нам величины выражаются в тактах. Чем их меньше, тем, соответственно, быстрее процессор получает ответ от модуля ОЗУ. И тем скорее он может "воспользоваться" такими ресурсами, как частота оперативной памяти и ее объем.

"Заводские" тайминги или свои?

Большинство пользователей ПК предпочитает использовать те тайминги, которые установлены еще на конвейере (либо в опциях материнской платы выставлена автонастройка). Однако на многих современных компьютерах есть возможности для того, чтобы выставить нужные параметры вручную. То есть, если нужны более низкие значения - их, как правило, можно проставить. Но как изменить тайминги оперативной памяти? Причем сделать это так, чтобы система работала стабильно? А еще, быть может, есть случаи, при которых лучше выбрать увеличенные значения? Как выставить тайминги оперативной памяти оптимальным образом? Сейчас мы попробуем дать ответы на эти вопросы.

Настраиваем тайминги

Заводские значения таймингов прописываются в специально отведенной области микросхемы ОЗУ. Называется она SPD. Используя данные из нее, система BIOS адаптирует оперативную память к конфигурации материнской платы. Во многих современных версиях BIOS настройки таймингов, выставленные по умолчанию, можно корректировать. Практически всегда это осуществляется программным методом - через интерфейс системы. Изменение значений как минимум одного тайминга доступно в большинстве моделей материнских плат. Есть, в свою очередь, производители, которые допускают тонкую настройку модулей ОЗУ при задействовании гораздо большего количества параметров, чем четыре указанных выше типа.

Чтобы войти в область нужных настроек в BIOS, нужно, зайдя в эту систему (клавиша DEL сразу после включения компьютера), выбрать пункт меню Advanced Chipset Settings. Далее в числе настроек находим строку DRAM Timing Selectable (может звучать несколько по-другому, но похоже). В нем отмечаем, что значения таймингов (SPD) будут выставляться вручную (Manual).

Как узнать тайминг оперативной памяти, установленный в BIOS по умолчанию? Для этого мы находим в соседствующих настройках параметры, созвучные CAS Latency, RAS to CAS, RAS Precharge и Active To Precharge Delay. Конкретные значения таймингов, как правило, зависят от типа модулей памяти, установленных на ПК.

Выбирая соответствующие опции, можно задавать значения таймингов. Эксперты рекомендуют понижать цифры очень постепенно. Следует, выбрав желаемые показатели, перезагружаться и тестировать систему на предмет устойчивости. Если компьютер работает со сбоями, нужно вернуться в BIOS и выставить значения на несколько уровней выше.

Оптимизация таймингов

Итак, тайминги оперативной памяти - какие лучше значения для них выставлять? Почти всегда оптимальные цифры определяются в ходе практических экспериментов. Работа ПК связана не только с качеством функционирования модулей ОЗУ, и далеко не только скоростью обмена данными между ними и процессором. Важны многие другие характеристики ПК (вплоть до таких нюансов, как система охлаждения компьютера). Поэтому практическая результативность изменения таймингов зависит от конкретной программно-аппаратной среды, в которой пользователь производит настройку модулей ОЗУ.

Общую закономерность мы уже назвали: чем ниже значения таймингов, тем выше скорость работы ПК. Но это, конечно, идеальный сценарий. В свою очередь, тайминги с пониженными значениями могут пригодиться при "разгоне" модулей материнской платы - искусственном завышении ее частоты.

Дело в том, что если придать микросхемам ОЗУ ускорение в ручном режиме, задействовав слишком большие коэффициенты, то компьютер может начать работать нестабильно. Вполне возможен сценарий, при котором настройки таймингов будут выставлены настолько некорректно, что ПК и вовсе не сможет загрузиться. Тогда, скорее всего, придется "обнулять" настройки BIOS аппаратным методом (с высокой вероятностью обращения в сервисный центр).

В свою очередь, более высокие значения для таймингов могут, несколько замедлив работу ПК (но не настолько, чтобы скорость функционирования была доведена до режима, предшествовавшего "разгону"), придать системе стабильности.

Некоторыми IT-экспертами подсчитано, что модули ОЗУ, обладающие CL в значении 3, обеспечивают примерно на 40 % меньшую задержку в обмене соответствующими сигналами, чем те, где CL равен 5. Разумеется, при условии, что тактовая частота и на том, и на другом одинаковая.

Дополнительные тайминги

Как мы уже сказали, в некоторых современных моделях материнских плат есть возможности для очень тонкой настройки работы ОЗУ. Речь, конечно, не идет о том, как увеличить оперативную память - этот параметр, безусловно, заводской, и изменению не подлежит. Однако в предлагаемых некоторыми производителями настройках ОЗУ есть очень интересные возможности, задействуя которые, можно существенно ускорить работу ПК. Мы же рассмотрим те, что относятся к таймингам, которые можно конфигурировать в дополнение к четырем основным. Важный нюанс: в зависимости от модели материнской платы и версии BIOS, названия каждого из параметров могут отличаться от тех, которые мы сейчас приведем в примерах.

1. RAS to RAS Delay

Этот тайминг отвечает за задержку между моментами, когда активизируются строки из разных областей консолидации адресов ячеек ("банков" то есть).

2. Row Cycle Time

Этот тайминг отражает временной интервал, в течение которого длится один цикл в рамках отдельной строки. То есть от момента ее активизации до начала работы с новым сигналом (с промежуточной фазой в виде закрытия).

3. Write Recovery Time

Данный тайминг отражает временной интервал между двумя событиями - завершением цикла записи данных в память и началом подачи электросигнала.

4. Write To Read Delay

Данный тайминг показывает, сколько должно пройти времени между завершением цикла записи и моментом, когда начинается чтение данных.

Во многих версиях BIOS также доступен параметр Bank Interleave. Выбрав его, можно настроить работу процессора так, чтобы он обращался к тем самым "банкам" ОЗУ одновременно, а не по очереди. По умолчанию этот режим функционирует автоматически. Однако можно попробовать выставить параметр типа 2 Way или 4 Way. Это позволит задействовать 2 или 4, соответственно, "банка" одновременно. Отключение режима Bank Interleave используется довольно редко (это, как правило, связано с диагностикой ПК).

Настройка таймингов: нюансы

Назовем некоторые особенности, касающиеся работы таймингов и их настройки. По мнению некоторых IT-специалистов, в ряду из четырех цифр наибольшее значение имеет первая, то есть тайминг CAS Latency. Поэтому, если у пользователя немного опыта в "разгоне" модулей ОЗУ, эксперименты, возможно, следует ограничить выставлением значений только для первого тайминга. Хотя эта точка зрения не является общепринятой. Многие IT-эксперты склонны считать, что три других тайминга не менее значимы с точки зрения скорости взаимодействия между ОЗУ и процессором.

В некоторых моделях материнских плат в BIOS можно настроить производительность микросхем оперативной памяти в нескольких базовых режимах. По сути, это выставление значений таймингов по шаблонам, допустимым с точки зрения стабильной работы ПК. Эти опции обычно соседствуют с параметром Auto by SPD, а режимы, о которых идет речь, - Turbo и Ultra. Первый подразумевает умеренное ускорение, второй - максимальное. Эта возможность может быть альтернативой выставлению таймингов вручную. Похожие режимы, к слову, есть во многих интерфейсах усовершенствованной системы BIOS - UEFI. Во многих случаях, как отмечают эксперты, при включении опций Turbo и Ultra достигается в достаточной мере высокая производительность ПК, а его работа при этом стабильна.

Такты и наносекунды

Реально ли выразить тактовые циклы в секундах? Да. И для этого существует очень простая формула. Такты в секундном выражении считаются делением единицы на фактическую тактовую частоту ОЗУ, указываемую производителем (правда, этот показатель, как правило, нужно делить на 2).

То есть, например, если мы хотим узнать такты, формирующие тайминги оперативной памяти DDR3 или 2, то мы смотрим на ее маркировку. Если там указана цифра 800, то фактическая частота ОЗУ будет равна 400 МГЦ. Это значит, что длительность такта составит значение, получаемое в результате деления единицы на 400. То есть 2,5 наносекунды.

Тайминги для модулей DDR3

Одни из самых современных модулей ОЗУ - микросхемы типа DDR3. Некоторые специалисты считают, что в отношении них такие показатели, как тайминги, имеют гораздо меньшее значение, чем для чипов предыдущих поколений - DDR 2 и более ранних. Дело в том, что эти модули, как правило, взаимодействуют с достаточно мощными процессорами (такими как, например, Intel Core i7), ресурсы которых позволяют не столь часто обращаться к ОЗУ. Во многих современных чипах от Intel, так же, как и в аналогичных решениях от AMD, есть достаточная величина собственного аналога ОЗУ в виде L2- и L3-кэша. Можно сказать, что у таких процессоров есть свой объем оперативной памяти, способный выполнять значительный объем типовых для ОЗУ функций.

Таким образом, работа с таймингами при использовании модулей DDR3, как мы выяснили, - не самый главный аспект "разгона" (если мы решим ускорить производительность ПК). Гораздо большее значение для таких микросхем имеют как раз-таки параметры частоты. Вместе с тем, модули ОЗУ вида DDR2 и даже более ранних технологических линеек сегодня все еще ставятся на компьютеры (хотя, конечно, повсеместное использование DDR3, по оценке многих экспертов, - более чем устойчивый тренд). И потому работа с таймингами может пригодиться очень большому количеству пользователей.

Вопрос: Будут ли корректно работать в Dual Chanel планки с разными таймингами?


Есть планка памяти 8 Гб 1600 Мгц DDR3. (тайминги 9-9-27)

Если я возьму вторую планку с такими характеристиками но с таймингами 10-10-10, они будут коректно работать в Dual Chanel?

Ответ: Скорей всего система найдёт оптимальную схему таймингов. Ну а двухканальный режим будет работать независимо от таймингов или чего-то подобного. Главное чтобы система запустилась, ну и, естественно, поставить модули в соответствующие слоты.

Вопрос: 2 планки Озу с разным таймингом


Здравствуйте... Такое дело стоят на компе 2 планки по 4Г DDR3.. Вопрос такой... то что у них Тайминги отличаются влияет на общую производительность?? вот файл из AIDA64

Ответ:

Сообщение от Linoge

Даже если будут разные

alukarddemon0 , в любом случае система настраивает всю память так, чтобы они работали с одинаковыми таймингами.

Вопрос: Совместимость оперативной памяти разных производителей


Добрый день, уважаемые форумчане! Есть к Вам вопрос. Значит имеем:
Материнская плата - Gigabyte GA P55A UD3,
Процессор - Intel Core I5 760,
Видео - GTS - 450,
Опрератвная память - Good Ram DDR3 1333 2 планки по 2 гигабайта.
Собственно вопрос будет по оперативной памяти. Появилась у меня необходимость увеличить объем с 4-х до 8-и гигабайт, идея была взять 2 планки по 4 гига, а старые по 2 снять, но, как говорится, выбирать особо не приходится, живу я в Луганской области, мало того, что город не большой, выбора практически нет, так еще и положение такое, что никто ничего не возит. Ну ладно в принципе, удалось мне значит приобрести еще 2 планки по 2 гига, только другого производителя (Team Group Elite DDR3 1333), тайминги, частота и объем совпадают, но есть одно но.
Имеется на матери 4 слота А1 В1 А2 В2 вставляю я так:
Good Ram DDR3 1333 2 х 2gb в слоты А1 А2
Team Group Elite DDR3 1333 2 х 2gb в слоты В1 В2
Проблема, память видит все 8 gb, но вываливается синий экран, периодически зависает и сам перезагружается.
Меняю местами:
Good Ram DDR3 1333 2 х 2gb в слоты В1 В2
Team Group Elite DDR3 1333 2 х 2gb в слоты А1 А2
Те-же самые проблемы, как и в первом случае.
Установил так:
Good Ram DDR3 1333 2 х 2gb в слоты А1 В1
Team Group Elite DDR3 1333 2 х 2gb в слоты А2 В2
И, о чудо, компьютер ведет себя нормально, не виснет, не перегружается и не выпадает BSOD! К стати память гонял Memtest по одной планке, ошибок нет! Так вот сам вопрос, почему такое происходило, если планки по характеристикам идентичны, но разного производителя. И нормально ли то, как я сделал в третьем случае, т.е. посадил в один канал планки разных производителей?

Ответ: Да, сразу не обратил внимание, различие в этих планках есть! На GoodRam: 2 ранка, 8 банков, на Team Elit: 1 ранк, 8 банков!

Вопрос: Целесообразность покупки 3 планки (о таймингах)


Всем привет.
У меня такая ситуация.
Материнская плата + i3-8100
Сейчас стоит 2 планки памяти
В компьютере стоит ssd+hdd, система на ssd, файл подкачки перенесла на hdd. Размер файла подкачки фиксированный 8гб.
Система windows 10 корпоративная 2016 с долгосрочным обслуживанием.

Собственно есть проблема и есть вопрос.

Проблема, памяти не хватает в некоторых играх. или программах+браузер.
Об этом мне говорит виндовс и просит завершить задачу.
Имеет ли смысл покупать еще 1 планку на 4 гб Ballistix Sport?
как себя будут вести 3 планки в материнской плате, которая поддерживает только двухканальный режим?

Вопрос. Тайминги. Какие лучше выставить тайминги для этой конфигурации?
Сейчас CPU-Z показывает срин.

Ответ:

Сообщение от iLisya

файл подкачки перенесла на hdd. Размер файла подкачки фиксированный 8гб.

А попробуйте поставить "по выбору системы" и посмотрите что получится. А потом перенесите на ссд и оставьте "по выбору системы" и сравните. скорость работы приложений.

Вопрос: Планки не работают вместе


Всем привет. Недавно подарили две планки по 2гб, до этого были 2 планки по 1 гб. Вместе они не работают (все 4). На моей материнской плате K9n Ultra MSI есть 4 слота. 2 слота MM1 MM2 зеленого цвета, 2 слота MM3 MM4 оранжевого цвета. По дефолту планки стояли планки в зеленых слотах, при добавлении в оранжевые слоты - пк не загружается(дальше анимации флажка Windows не доходит). Если вставить планки таким способом: 1-1-1-0 или 1-1-0-1, то монитор не отображает, то есть кулеры работают, а отображения нет(даже на клавиатуре лампочки не загораются).
На всех планках одинаковая частота и вольтажность. Только на одной планке другой тайминг.
На 2 планках Kingston KVR800D2n5/1гб и 1 планке Nanya M2Y2G64TU8HD5B-AC/2гб тайминг такой:
5-5-5-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-51-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-26-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
на 4 планке в 2 гб Samsung M3 78T5663EH3-CF7 тайминг такой
6-6-6-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 24-51-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Все планки DDR2 sdram (400mhz), ddr2-800. Мать поддерживает максимально 8 гб.
Как мне запустить все планки вместе?
P.S.: BIOS свежий. Не идет дальше анимации флажка на windows x64, а на 32 все работает, но доступна память из зеленых слотов.
http://www.nix.ru/autocatalog/mother...RII_54526.html - мат. плата

Ответ: На всякий случай.

Как восстановить ножки на процессоре (видео)

Вопрос: Разные вольтажи ОЗУ - критично или нет?


Доброго времени суток. Задался таким вопросом. У меня сейчас стоит ОЗУ 2x4 Gb 1600 MHz 9-9-9-27 1.65V, но столкнулся с нехваткой оперативки, потому решил докупить еще 2 планки. Однако в магазинах сейчас практически не найти планки с вольтажом 1.65, вся под 1.5V заточена. Поэтому возникает вопрос: если я докуплю планки с таймингом 9-9-9-24 и вольтажом 1.5V, не станут ли они конфликтовать с имеющейся у меня парой?

Ответ: Обычно напряжение 1.65V для разгонных профилей. То есть для разгона. Стандартное напряжение таких модулей всё равно 1.5V для JEDEC (стандартных) профилей.

Вопрос: Какие основные правила существуют для постановки второй планки в дополнении к первой


Всем доброго времени суток! Может ли кто нибудь рассказать, какие правила существуют для увеличения оперативной платы? Какими характеристиками должна обладать дополняемая планка? Я слышал что тактовые частоты обоих планок должны совпадать, так же как и объём. Так ли это? И какие ещё правила существуют?

Ответ:

Сообщение от Evg

Т.е. в теории может быть, что тайминги на частоте 1333 у двух планок разные, а на частоте 1600 они совпадают, поэтому данные планки смогут работать в паре на частоте 1600 и не смогут на частоте 1333. Это так?

Нет, почти всегда работать она все равно сможет на наибольших таймингах - на меньших скоростях.
Тайминги это не времена зарядов/разрядов ячеек, а задержки после подачи команды до получения данных или выполнения действия.

Например чтение
подается команда открытия строки row a
ожидается Trcd (третий параметр)
подается команда выбора столбца col a
ожидается CL (первый параметр)
и с шины данных считывается результат содержимого ячейки памяти a из строки a
кстати до окончания ожидания результата может быть подан сигнал на следующий столбец, и следующий т е
col a, col b, col c и соответственно через CL будут получены последовательно 3 ячейки.

По сути тайминги это приведенное время работы обслуживающей системы памяти - тоже зарядка емкостей (только не тех что хранят данные) и переключение транзисторов.

Напряжение влияет, на бОльших частотах для зарядки емкостей за меньшее время необходимо большее напряжение.
Поэтому например для ddr3 на 1333 все работают на 1.5В, а на 1600 может уже потребоваться 1.6-1.65В для стабильной работы.

Вопрос: Две одинаковых планки не работают одновременно


Доброго времени суток!
Материнка Asus P5G41T-M LX3
Проц Intel e5700
Оперативки 2 по 2GB PNY Technologies Europe 64B0MHHHJ8G09 1333MHz. Memory Timings. CL 9(обе одинаковые,все цифры с наклейки на ней совпадают)

Началось с того,что перестала работать звуковая на старой материнке. Решилось всё её заменой.
На новой материнке сначала появлялись BSOD-ы(много разных ошибок) + ошибка "видеодрайвер перестал отвечать и был восстановлен"
Я попробовал переустановить Windows,но во время установки появлялась ошибка,одна и та же с нескольких дисков/флешек.
Прочел на одном из форумов совет снять одну планку оперативки,винда установилась. После этого проверил оперативку мемтестом с загрузочной флешки. Тестировал первую,вторую и обе вместе. Ошибок нет,слоты впорядке. В биосе показывает 4 гига оперативки. Но с двумя планками компьютер не включается - полоса "загрузка файлов" и дальше "восстановление запуска" и всё по новой.

Прочел совет выставить тайминги вручную.Залез в биос,покрутил,"понял что ничего не понял" и сбросил настройки. Зашел обратно,тайминги поменялись,нажал F10(Save)
Перезагрузка и "overclocking failed or overvoltage failed please enter setup to reconfigure your system.F1 To Run Setup F2 to load defauld values and continue"
Нажал F2,система запустилась с двумя планками,в свойствах показывает 4GB оперативки,но после перезагрузки всё вернулось обратно.

В чем может быть проблема?

Добавлено через 3 минуты
В дополнение к вышесказанному:
На сайте материнки не нашел производителя "PNY Europe" в списке рекомендуемых ОЗУ.

Добавлено через 19 минут
Еще почитал пару тем на форуме:
BIOS обновлялся неделю назад до последней версии.
Мемтест работал примерно 3 часа (4 прохода,почти 5) без ошибок.

Ответ:

Сообщение от insidekazan

PNY Technologies Europe 64B0MHHHJ8G09 1333MHz

В списке поддержанных ее нет...Делаю вывод что они могут работать могут и не работать...Вместе...
В какие слоты вставлены?Одного цвета? если да- попробуйте вставить в слоты разного цвета...Как то такое встречал что двухканалка не катит для некоторых оперативок

Вопрос: Компьютер не видит планку ОЗУ


День добрый (не для меня).
Недавно, решил прикупить планку памяти для компьютера. Ибо до этого было всего 2 ГБ, а это уже совсем не солидно. Купил Hynix DDR3 1600 на 4 ГБ. (старая планка от KingMax DDR3 1333 на 2 ГБ). Вставил её в тот же канал (два канала на матери) что и мою старую планку. Никакого эффекта. Компьютер включился без каких либо изменений. Винда не видит ни новой памяти, ни самой планки. Пишет, что вставлена всего одна на 2 ГБ. Решил попробовать поставить её одну, без старой. В итоге, компьютер не запускается, а лишь издает короткие писки с интервалом небольшим, что говорит о наличии проблемы с оперативной памятью, насколько мне известно. Перетыкал её куда только мог, безрезультатно. Пробовал ставить их вместе в разные каналы. Если старая оператива стоит в А1, а новая в А2 или Б2, то никаких проблем (и изменений). Её просто не видит компьютер. Если старая стоит в А1, а новая в Б1, то компьютер лишь шумит куллерами, пока я любуюсь черным экраном. Биос тоже не видит новую планку. Я ковырялся по многим форумам, решения не нашел. Решил написать самостоятельно, буду благодарен за любую помощь.

Вот мои планки


Вот такие купил

Материнка: asus m4a77t
Предыдущие вставлены в синие слоты, а новые в черные слоты.
Буду очень признателен, если подскажите. Завтра если что верну их обратно.

Ответ: Во-первых спасибо, что сразу ответили. Проблема решилась.
Я просто раньше не вставлял оперативную память и рано запаниковал. До этого просто покупал жесткий диск и тоже не заработало, оказался изначально бракованный, вот и подумал, что снова мне повезло.
На самом деле одна из причин загорания красного светодиода на плате материнской - это когда вы не до конца вставили оперативную память, то есть именно, чтобы вставить её и защелкнуть с двух сторон соответствующими фиксаторами. У меня просто как то плохо они защелкиваются, пришлось наклонять карту памяти, чтобы защелкнуть один фиксатор, а потом другой. На видео обычно это делалось полегче.

А так из проблем возможных:
-32 битная версия виндоуса
-ввести в коммандной строке msconfig -> вкладка загрузка -> дополнительные параметры -> снять галочку с параметра максимум памяти.

Ну и если разные по скорости, обьему. То посмотрите в гугле как вставлять разные варианты, когда 2 или 3 или 4 карты. И разные вариации по скорости, объему.
Если одна планка имеет меньшую скорость чем другую, то работать будут оба на минимальной.

Компьютерная терминология иногда поражает своей сложностью. Из-за этого пользователь и одновременно конечный покупатель сталкивается с определенными проблемами выбора во время приобретения компьютера или обновления его конфигурации. К одной из важных характеристик ПК относится так называемый тайминг. Оперативная память характеризуется как параметром частоты, на которой она работает, так и размером задержек обращения к другим модулям компьютера.

Перед тем как переходить к ответу на вопрос, что такое тайминг, опишем основной принцип работы ОЗУ - оперативного запоминающего устройства.

Как работает «оперативка»

Оперативная память (ОЗУ, RAM) - это одна из важнейших составляющих частей любого компьютера. В ней временно сохраняются данные, необходимые для работы процессора. Передача информации в этом случае осуществляется непосредственно от блока памяти на ядро или же через особую сверхбыструю память. Если говорить простыми словами, то оперативная память - это несколько микрочипов, которые хранят данные всех запущенных пользователем программ. Но разве нельзя хранить все это на жестком диске, ведь это тоже память? К сожалению нет. Все дело в скорости и надежности. Жесткий диск является механическим устройством с низкой скоростью работы (по сравнению с потребностями процессора) и ограниченным ресурсом. ОЗУ лишена этих недостатков, она быстра, и ее ресурс не зависит от количества обращений.

Классификация

Существует две разновидности памяти:

  • SRAM - статический тип ОЗУ;
  • DRAM - динамический тип ОЗУ.

Без углубления в особенности технической реализации SRAM-памяти можно сказать, что такие планки отличаются высокой скоростью. Задержки и передача данных в блоке ОЗУ происходит моментально. Но, к сожалению, такая реализация отличается дороговизной. К тому же объемы модуля памяти ограничены сравнительно большими размерами транзисторов. Модули SRAM используются в качестве сверхбыстрой кэш-памяти, которую применяют на процессорах, жестких дисках и других модулях ПК.

Динамический тип ОЗУ - это привычные всем прямоугольные планки, которые располагаются на материнской плате. Такая память отличается сравнительной дешевизной и большими объемами. Но ее блоки имеют свои недостатки:

  • Так как планка содержит в себе конденсаторы, то необходимо регулярно «регенерировать» заряд в них для того, чтобы данные не пропали. Эту задачу выполняет центральный процессор. Но во время такого обращения к памяти приостанавливаются все операции с ней.
  • Скорость работы такой планки гораздо меньше, чем у статической.
  • Немалую роль играет и правильно подобранный тайминг. Оперативная память с большими объемами и высокой частотой не всегда сможет показать необходимую продуктивность ввиду высоких задержек.

Типы оперативной памяти

На данный момент существует всего 4 типа модулей памяти:

  • DDR - устаревший тип ОЗУ, который используется на очень старых компьютерах.
  • DDR2 – блоки подобной ОЗУ еще можно встретить в старых ПК в госструктурах и учебных заведениях. Скорость работы такой памяти не позволяет справляться с высоконагруженными современными приложениями, но она достаточна для работы с текстовыми редакторами и для серфинга в сети Интернет.
  • DDR3 - наиболее распространенный модуль памяти. Потребление энергии на 40% меньше чем у предыдущего типа, а скорость работы такой памяти гораздо выше.
  • DDR4 - эволюционное развитие оперативной памяти. Такие модули способны полностью удовлетворить все запросы современного пользователя. При оптимальной конфигурации блок может обеспечить пропускную способность равную 34,1 ГБ / c.

Тайминги памяти

Теперь мы знаем, что из себя представляет ОЗУ. Ну, а что же такое тайминг? Это задержка между отправкой и выполнением команды шины памяти, которая измеряется в тактах.

DRAM состоит из ячеек, объединенных в двумерные массивы. Структура подобна решетке, в узлах которой находятся ячейки. Для обращения к узлам контроллер должен знать их адрес, состоящий из номера строки и столбца (координат). Отдельные массивы с одинаковым размером ячеек объединяются в так называемые банки.

Таким образом, контроллер сначала обращается к банку с адресом строки посредством сигнала RAS. Затем происходит поиск необходимой строки - это цикл тайминга RAS to CAS Delay. После этого контроллер шлет номер столбца при помощи CAS-сигнала. Ожидание ответа на такой запрос называется CAS Latency. Тайминг под названием RAS Precharge обозначает время между командами закрытия и повторной активации строки, Active to Precharge Delay – между командами активации и закрытия. Command Rate – это минимальный интервал между двумя любыми командами.

Покупая новую планку ОЗУ можно очень легко определить тайминг. Оперативная память маркируется стандартной схемой: DDR3 (частота) CAS Latency - RAS to CAS DELAY - RAS Precharge - Cycle Time, что в реальности выглядит как DDR3 2133 9-12-12-28.

Что лучше - быстрая память или меньшие задержки?

В первую очередь необходимо обращать внимание на тайминг. Оперативная память с высокой частотой может работать медленно, потому что обращение к процессору имеет гораздо меньшую скорость, а поэтому такое преимущество не будет реализовано. В то же время задержки остаются всегда на стандартном уровне, естественно, если не выставить тайминги оперативной памяти вручную.

Так, например, память DDR2 1600 6-7-6-18 намного быстрее, чем DDR3 1866 9-9-9-24. Как видим, во втором случае имеем более совершенное поколение ОЗУ с более высокой частотой, но слишком большие задержки просто нивелируют этот факт. Приобретая новую оперативную память, старайтесь выбирать такую модель, которая имеет минимально возможные задержки. Этим вы обеспечите себе высокую производительность компьютера в целом.

fb.ru

Что такое тайминги оперативной памяти?

Здравствуйте, дорогие друзья. С вами Артём.

Что такое тайминги оперативной памяти? Вот об этом и сегодня и поговорим.

P.S. О разгоне оперативной памяти можно посмотреть тут.

Видео версия статьи:

Тайминги, как и другая полезная информация маркируется на корпусе планки оперативной памяти.

Тайминги состоят из группы цифр.

На некоторых планках тайминги указаны полностью, а на других указывается только CL задержка.

Тайминги указаны полностью

Указание только CL, а данном случае CL9

Что такое CL тайминг вы узнаете по ходу статьи.

В этом случае полный список таймингов можно узнать на сайте производителя планки, по номеру модели.

Любая оперативная память DDR (1,2,3,4) имеет одинаковые принципы работы.

Память имеет определённую частоту работы в МГц и тайминги.

Чем тайминги меньше, тем быстрее процессор может получить доступ к ячейкам памяти на микросхемах.

Соответственно получаются меньше задержек при считывании и записи информации в оперативную память.

Наибольшее распространение получил тип памяти DDR SDRAM, который имеет ряд особенностей.

С контроллером памяти она (память) общается на частоте в половину меньшей, чем та, которая указана на маркировке плашки оперативной памяти.

Например, DDR3 работающая на частоте 1866 МГц в диагностических программах, например, CPU-Z будет отображена как 933 МГц.


Эффективная частота оперативной памяти

Так что на корпусе планки оперативной памяти указывается эффективная частота работы памяти, тогда как в реальности, частоты работы в два раза ниже.

Линии адреса, данных и управления передаются по одной шине в обе стороны, что и позволяет говорить об эффективной частоте работы оперативной памяти.

Данные передаются по 2 бита на один синхроимпульс, как по фронту, так и по спаду тактового импульса, что и удваивает эффективную частоту работу памяти.

P.S. Частота оперативной памяти складывается из коэффициента умножения (множителя) на частоту системной шины.

Например, частота системной шины процессора 200 МГц (какой ни будь Pentium 4), а множитель=2, то результирующая частота памяти будет 400 МГц (800 МГц эффективная).

Это значит, что для разгона оперативной памяти, нужно разогнать процессор по шине (либо выбрать нужный множитель памяти).

P.S. Все манипуляции по частотам, таймингам и напряжениям производятся в BIOS (UEFI) материнской платы.

Тайминги:

Модули памяти, работающие на одной и той же частоте, но имеющие разные тайминги в тоге могут иметь разную итоговую скорость работы.

Тайминги указывают на количество тактовых импульсов, для выполнения микросхемой памяти той или иной операции. Например, поиска определённой ячейки и записи в неё информации.

Сама же тактовая частота определяет с какой скоростью в Мегабайтах в секунду будут идти операции чтения/записи, когда чип уже готов выполнить команду.

Тайминги обозначаются цифрами, например, 10-11-10-30.

DDR3 1866 МГц 9-9-9-10-28 будет быстрее чем DDR3 1866 МГц 10-11-10-30.

Если обратиться к базовой структуре ячейки памяти, то получится вот такая табличная структура.

Структура оперативной памяти

То есть структура строк и столбцов, по номеру которых можно обратиться к тому или иному байту памяти, для чтения или записи данных.

Что же конкретно обозначают цифры таймингов?

Обратимся к примеру, выше DDR3 1866 МГц 10-11-10-30.

Цифры по порядку:

10 – это CAS Latency (CL)

Одна из важнейших задержек (таймингов). От него в большей степени будет зависеть скорость работы оперативной памяти.

Чем меньше первая цифра из таймингов, тем она быстрее.

CL указывает на количество тактовых циклов, необходимых для выдачи запрашиваемых данных.

На рисунке ниже вы видите пример с CL=3 и CL=5.


Что такое тайминги CAS Latency (CL)

В результате память с CL=3 на 40% быстрее выдаёт запрашиваемые данные. Можно даже посчитать задержку в нс (наносекунда = 0,000000001 с).

Чтобы вычислить период тактового импульса для оперативной памяти DDR3 1866 МГц, нужно взять её реальную частоту (933 МГц) и воспользоваться формулой:

1/933 = 0,0010718113612004 секунды ≈ 1,07 нс.

1,07*10(CL) = 10,7 нс. Таким образом для CL10 оперативная память задержит выдачу данных на 10,7 наносекунды.

P.S. Если последующие данные располагаются по адресу следующему за текущем адресом, то данные не задерживаются на время CL, в выдаются сразу же за первыми.

11 – это RAS to CAS Delay (tRCD)

Сам процесс доступа к памяти сводится к активации строки, а затем столбца с нужными данными. Данный процесс имеет два опорных сигнала – RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe).

Также величина этой задержки (tRCD) является числом тактов между включением команды «Активировать (Active)» и командой «Чтение» или «Запись».


Что такое тайминги RAS to CAS Delay (tRCD)

Чем меньше задержка между первым и вторым, тем быстрее происходит конечный процесс.

10 – это RAS Precharge (tRP)

После того как данные получены из памяти, нужно послать специальную команду Precharge, чтобы закрыть строку памяти из которой считывались данные и разрешить активацию другой строки с данными. tRP время между запуском команды Precharge и моментом, когда память может принять следующую команду «Active». Напомню, что команда «Active» запускает цикл чтения или записи данных.

Чем меньше эта задержка, тем быстрее запускается цикл чтения или записи данных, через команду «Active».


Что такое тайминги RAS Precharge (tRP)

P.S. Время которое проходит с момента запуска команды «Precharge», до получения данных процессором складывается из суммы tRP + tRCD + CL

30 – это Cycle Time (tRAS) Active to Precharge Delay.

Если в память уже поступила команда «Active» (и в конечном итоге процесс чтения или записи из конкретной строки и конкретной ячейки), то следующая команда «Precharge» (которая закрывает текущую строку памяти, для перехода к другой) будет послана, только через это количество тактов.

То есть это время, после которого память может приступить к записи или чтению данных из другой строки (когда предыдущая операция уже была завершена).

Есть ещё один параметр, который по умолчанию никогда не изменяется. Разве что при очень большом разгоне памяти, для большей стабильности её работы.

Command Rate (CR, либо CMD), по умолчанию имеет значение 1T – один такт, второе значение 2T – два такта.


Command Rate (CR) оперативной памяти

Это отрезок времени между активацией конкретного чипа памяти на планке оперативной памяти. Для большей стабильности при высоком разгоне, часто выставляется 2T, что несколько снижает общую производительность. Особенно если плашек памяти много, как и чипов на них.

В этой статье я постарался объяснить всё более-менее доступно. Если, что, то всегда можно перечитать заново:)

Если вам понравился видео ролик и статья, то поделитесь ими с друзьями в социальных сетях.

Чем больше у меня читателей и зрителей, тем больше мотивации создавать новый и интересный контент:)

Также не забывайте вступать в группу Вконтакте и подписываться на YouTube канал.

YouTube канал Обзоры гаджетов

Вконтакте: Обзоры компьютерного железа, программ и гаджетов

До встречи в следующих публикациях и роликах. Пока пока:)

mstreem.ru

Разновидности таймингов оперативной памяти

Если вам когда-либо приходилось интересоваться параметрами работы такой важной системы компьютера, как оперативная память, то вам наверняка, не раз встречался такой термин, как тайминги оперативной памяти. Что же он обозначает, и в чем заключается важность этого параметра? Попытаемся разобраться в данном вопросе.

Что представляют собой тайминги ОЗУ

Основными параметрами оперативной памяти, как известно, являются технология ее работы (например, DDR 1, 2 или 3), ее объем, а также тактовая частота. Но помимо этих параметров довольно важным, хотя и не всегда учитываемым параметром являются характеристики латентности памяти или так называемые тайминги. Тайминги оперативной памяти определяются количеством времени, которое требуется микросхемам ОЗУ, чтобы выполнить определенные этапы операций чтения и записи в ячейку памяти и измеряются в тактах системной шины. Таким образом, чем меньше будут значения таймингов модуля памяти, тем меньше модуль будет тратить времени на рутинные операции, тем большее быстродействие он будет иметь и, следовательно, тем лучше будут его рабочие параметры. Тайминги во многом влияют на производительность работы модуля ОЗУ, хотя и не так сильно, как тактовая частота.

Разновидности таймингов

К числу основных относятся:

  • CAS Latency (CL) – Латентность CAS.
  • RAS to CAS Delay (TRCD) – Задержка RAS to CAS
  • RAS Precharge (TRP) – Время зарядки RAS

Аббревиатура CAS обозначает Column Address Strobe (строб-сигнал адреса колонки), а RAS - Row Address Strobe (строб-сигнал адреса строки).

Часто, хотя и не всегда, производители микросхем ОЗУ используют четвертый и пятый тайминги. Ими являются Row Active Time (TRAS), обычно приблизительно равный сумме второго тайминга (TRCD) и квадрата тайминга CL, а также Command rate.

Все тайминги обычно указываются на маркировке микросхемы памяти в следующем порядке: CL-TRCD-TRP-TRAS. Например, обозначение 5-6-6-18 свидетельствует о том, что у микросхемы памяти значение CAS Latency равно 5 тактам, RAS to CAS Delay и RAS Precharge равны 6 тактам, значение Row Active Time – 18 тактам.

CAS Latency (CL)

Тайминг CAS Latency является одним из самых важных таймингов модуля оперативной памяти. Он определяет время, которое требуется модулю памяти, чтобы выбрать необходимый столбец в строке памяти после поступления запроса от процессора на чтение ячейки.

RAS to CAS Delay (TRCD)

Этот тайминг определяет число тактов, которое проходит между снятием сигнала RAS, означающего выбор определенной строки памяти и подачей сигнала CAS, при помощи которого осуществляется выбор определенного столбца (ячейки) в строке памяти.

RAS Precharge Time (TRP)

Этот параметр задает количество времени в тактах, которое проходит между сигналом на предварительную зарядку Precharge и открытием доступа к следующей строке данных.

Это тайминг определяет время, в течение которого является активной одна строка модуля памяти. Также в некоторых источниках он может называться SDRAM RAS Pulse Width, RAS Active Time, Row Precharge Delay или Active Precharge Delay.

Иногда для характеристики модуля памяти также используется тайминг Command Rate. Он определяет общую задержку при обмене командами между контроллером памяти и модулем ОЗУ. Обычно равен всего 1-2 тактам.

Также для определения параметров работы ОЗУ иногда используются вспомогательные тайминги оперативной памяти, такие, как RAS to RAS Delay, Write Recovery Time, Row Cycle Time, Write To Read Delay и некоторые другие.

Настройка таймингов средствами BIOS

В большинстве случаев BIOS устанавливает тайминги автоматически. Как правило, вся необходимая информация о таймингах содержится в специальной микросхеме SPD, которая присутствует в любом модуле памяти. Однако при необходимости значения таймингов можно устанавливать и вручную – BIOS большинства материнских плат предоставляет для этого широкие возможности. Обычно для управления таймингами используется опция DRAM Timings, в которой пользователь может установить значения основных таймингов - CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Row Active Time, а также ряда дополнительных. Кроме того, пользователь может оставить значения, используемые BIOS по умолчанию, выбрав вариант Auto.

Пример окна настройки таймингов BIOS

Почему возникает необходимость в самостоятельной установке таймингов? Это может потребоваться в разных случаях, например в ходе мероприятий по разгону оперативной памяти. Как правило, установка меньших значений таймингов позволяет увеличить быстродействие оперативной памяти. Однако в ряде случаев бывает полезной и установка больших значений таймингов по сравнению с номиналом – это позволяет улучшить стабильность работы памяти. Если вы затрудняетесь с установкой данных параметров и не знаете, какие величины таймингов лучше всего установить, то следует довериться значениям BIOS по умолчанию.

Заключение

Тайминги представляют собой числовые параметры, отражающие задержки выполнения операций в микросхеме памяти, обусловленные спецификой работы модулей ОЗУ. Они относятся к числу важных характеристик оперативной памяти, от которых во многом зависит производительность ОЗУ. При выборе модулей памяти следует руководствоваться следующим правилом – чем меньше будет значение таймингов для памяти, работающей по одной и той же технологии (DDR 1, 2 или 3), тем лучше будут скоростные параметры модуля. Номинальные значения таймингов для любых модулей ОЗУ определяются производителем модулей и хранятся в чипе SPD. Тем не менее, в ряде случаев пользователи могут менять значение стандартных таймингов при помощи средств BIOS.

biosgid.ru

Как узнать какая оперативная память у вас установлена

Время идет, все развивается. Сервисы, сайты, программы, игры и интернет все с каждым днем становится совершеннее. С одной стороны, прогресс – это хорошо, но если посмотреть на это иначе, то вы заметите, что сегодня ваш старый компьютер уже не в состоянии даже нормально работать с браузером. Вам приходится его апгрейдить, как минимум добавить оперативной памяти. Но тут проблема…

Просто купить любую «планку» оперативной памяти нельзя. Все дело в том, что существуют разные производители чипов памяти, которые используются на платах, и из-за из несоответствия, например, если вы к существующей ОЗУ хотите докупить еще, могут быть серьезные проблемы в работе компьютера, а иногда доходит и до выхода из строя всей оперативной памяти. Чтобы такого не случилось вам необходимо знать, какая именно память и с какими параметрами установлена у вас.

К сожалению, сделать это при помощи средств операционной системы невозможно. Приходится установить дополнительное ПО, чтобы узнать какая оперативная память установлена.

Итак, первая программа, которая позволит вам узнать тип и параметры планок оперативной памяти – это Speccy. Скачать Speccy можно тут. Данная программа позволяет просмотреть полную конфигурацию компьютера, не только ОЗУ, но и жесткий диск, процессор, материнскую плату и так далее. После того, как вы скачаете, установите и запустите данную программу необходимо перейти в раздел «Оперативная память». Перед вами откроется весь писок параметров памяти (тип, объем, производитель, частота, тайминги, напряжение, и даже номер партии), переписав который вы сможете выбрать в магазине подходящую.

Вторая программа, которая позволит вам просмотреть данные о системе и оперативной памяти в частности является CPU-Z. Скачать бесплатно CPU-Z вы сможете тут. Даная программа обладает меньшими данными об оперативной памяти, но достаточными для того, чтобы просмотреть основные параметры. После запуска приложения, вам необходимо перейти во вкладку «Memory» (память). Здесь находятся такие параметры как тип памяти, частота, объем, тайминги, а также режим в котором она работает.

В принципе ключевой момент который вы должны знать это какой тип памяти у вас используется, это может быть DDR, DDR2, DDR3, обратите внимание что для ноутбуков используется другой форм фактор памяти (она меньше по размеру чем та которая устанавливается в стационарные компьютеры) в ноутбуках используется SO-DIMM, а в компьютерах DDR DIMM.

Так же сейчас наблюдается тенденция когда вы хотите добавить памяти в старый ноутбук с DDR3 добавить памяти, но она не подходит когда вы устанавливаете планку новой памяти, это может быть вызвано тем что сейчас на рынке появилась память DDR3L - это низковольтовая память, которая приходит на смену DDR3 для ноутбуков, для экономии потребления электроэнергии. Но это еще не все почему память к ноутбуку может не подойди, в новых планках еще уменьшилось число микросхем на самих планках (это черные квадратики или прямоуголники на планке достаточно большого размера). Так что если хотите менять память но ноутбуке то лучше сразу договариваться о возврате или вообще ехать с ноутбуком и подбирать память на месте.

Привет, GT! Все мы любим новое железо - приятно работать за быстрым компьютером, а не смотреть на всякие прогрессбары и прочие песочные часики. Если с процессорами и видеокартами всё более-менее понятно: вот новое поколение, получите ваши 10-20-30-50% производительности, то с оперативкой всё не так просто.

Где прогресс в модулях памяти, почему цена на гигабайт почти не падает и чем порадовать свой компьютер - в нашем железном ликбезе.

DDR4

Стандарт памяти DDR4 имеет ряд преимуществ перед DDR3: большие максимальные частоты (то есть пропускная способность), меньшее напряжение (и тепловыделение), и, само собой, удвоенная ёмкость на один модуль.

Комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции при Electronic Industries Alliance (более известный как JEDEC) трудится над тем, чтобы ваша оперативная память Kingston подходила к материнской плате ASUS или Gigabyte, и по этим правилам играют все. По части электрики, физики и разъёмов всё жёстко (оно и понятно, нужно обеспечить физическую совместимость), а вот в отношении рабочих частот, объёмов модулей и задержек в работе правила допускают некоторую волатильность: хотите сделать лучше - делайте, главное, чтобы на стандартных настройках у пользователей не было проблем.

Именно так получились в своё время модули DDR3 с частотой выше, чем 1600 МГц, и DDR4 с частотами выше 3200 МГц: они превышают базовые спецификации, и могут работать как на «стандартных» параметрах, совместимых со всеми материнскими платами, так и с экстремальными профилями (X.M.P.), протестированными на заводе и зашитыми в BIOS памяти.

Прогресс

Основные улучшения в этой сфере ведутся сразу в нескольких направлениях. Во-первых, производители непосредственно микросхем памяти (Hynix, Samsung, Micron и Toshiba) постоянно улучшают внутреннюю архитектуру чипов в пределах одного техпроцесса. От ревизии к ревизии внутреннюю топологию доводят до совершенства, обеспечивая равномерность нагрева и надёжность работы.

Во-вторых, память потихоньку переходит на новый техпроцесс. К сожалению, здесь нельзя проводить улучшения также быстро, как делают (делали последние лет 10) производители видеокарт или центральных процессоров: грубое уменьшение размеров рабочих частей, то есть транзисторов, потребует соответствующего снижения рабочих напряжений, которые ограничены стандартом JEDEC и встроенными в CPU контроллерами памяти.

Поэтому единственное, что остаётся - не только «поджимать» производственные нормы, но ещё и параллельно увеличивать скорость работы каждой микросхемы, что потребует соответствующего повышения напряжения. В итоге и частоты растут, и объёмы одного модуля.

Примеров такого развития много. В 2009-2010 году нормальным был выбор между 2/4 гигабайтами DDR3 1066 МГц и DDR3 1333 МГц на один модуль (обе были выполнены по 90-нм техпроцессу). Сегодня же умирающий стандарт готов предложить вам 1600, 1866, 2000 и даже 2133 МГц рабочих частот на модулях в 4, 8 и 16 ГБ, правда внутри уже 32, 30 и даже 28 нм.

К сожалению, подобный апгрейд стоит немалых денег (в первую очередь на исследования, закупку оборудования и отладку производственного процесса), так что ждать радикального уменьшения цены 1 ГБ оперативки до выхода DDR5 не придётся: ну а там нас ждёт очередное удвоение полезных характеристик при той же цене производства.

Цена улучшений, разгон и поиски баланса

Растущий объём и скорость работы напрямую влияет на ещё один параметр оперативной памяти - задержки (они же тайминги). Работа микросхем на высоких частотах до сих пор не желает нарушать законы физики, и на различные операции (поиск информации на микросхеме, чтение, запись, обновление ячейки) требуются определённые временные интервалы. Уменьшение техпроцесса даёт свои плоды, и тайминги растут медленнее, чем рабочие частоты, но здесь необходимо соблюдать баланс между скоростью линейного чтения и скоростью отклика.

Например, память может работать на профилях 2133 МГц и 2400 МГц с одинаковым набором таймингов (15-15-15-29) - в таком случае разгон оправдан: при большей частоте задержки в несколько тактов только уменьшатся, и вы получите не только увеличение линейной скорости чтения, но и скорости отклика. А вот если следующий порог (2666 МГц) требует увеличения задержек на 1-2, а то и 3 единицы, стоит задуматься. Проведём простые вычисления.

Делим рабочую частоту на первый тайминг (CAS). Чем выше соотношение - тем лучше:

2133 / 15 = 142,2
2400 / 15 = 160
2666 / 16 = 166,625
2666 / 17 = 156,823

Полученное значение - знаменатель в дроби 1 секунда / Х * 1 000 000. То есть чем выше число, тем ниже будет задержка между получением информации от контроллера памяти и отправкой данных назад.

Как видно из расчётов, наибольший прирост - апгрейд с 2133 до 2400 МГц при тех же таймингах. Увеличение задержки на 1 такт, необходимое для стабильной работы на частоте 2666 МГц всё ещё даёт преимущества (но уже не такие серьёзные), а если ваша память работает на повышенной частоте только с увеличением тайминга на 2 единицы - производительность даже немного снизится относительно 2400 МГц.

Верно и обратное: если модули совершенно не хотят увеличивать частоты (то есть вы нащупали предел для конкретно вашего комплекта памяти) - можно попытаться отыграть немного «бесплатной» производительности, снизив задержки.

На самом деле факторов несколько больше, но даже эти простые расчёты помогу не напортачить с разгоном памяти: нет смысла выжимать максимальную скорость из модулей, если результаты станут хуже, чем на средних показателях.

Практическое применение разгона памяти

В плане софта от подобных манипуляций в первую очередь выигрывают задачи, постоянно эксплуатирующие память не в режиме потокового чтения, а дёргающие случайные данные. То есть игры, фотошоп и всякие программистские задачи.

Аппаратно же системы со встроенной в процессор графикой (и лишённые собственной видеопамяти) получают значительный прирост производительности как при снижении задержек, так и при увеличении рабочих частот: простенький контроллер и невысокая пропускная способность очень часто становится бутылочным горлышком интегрированных GPU. Так что если ваши любимые «Цистерны» еле-еле ползают на встроенной графике старенького компа - вы знаете, что можно попробовать предпринять для улучшения ситуации.

Мэйнстрим

Как не странно, больше всего от подобных улучшений выигрывают среднестатистические пользователи. Нет, безусловно, оверклокеры, профессионалы и игроки с полным кошельком получают свои 0.5% производительности, применяя экстремальные модули с запредельными частотами, но их доля на рынке мала.

Что под капотом?

Белые алюминиевые радиаторы снять достаточно просто. Шаг нулевой: заземляемся об батарею или ещё какой металлический контакт с землёй и даём стечь статике - мы же не хотим дать нелепой случайности убить модуль памяти?

Шаг первый: прогреваем модуль памяти феном или активными нагрузками на чтение-запись (во втором случае вам надо быстренько выключить ПК, обесточить его и снять оперативку, пока она ещё горячая).

Шаг второй: находим сторону без наклейки и аккуратно подцепляем радиатор чем-нибудь в центре и по краям. Использовать печатную плату как основание для рычага можно, но с осторожностью. Внимательно выбираем точку опоры, стараемся избегать давления на на хрупкие элементы. Действовать лучше по принципу «медленно, но верно».

Шаг третий: открываем радиатор и разъединяем замки. Вот они, драгоценные чипы. Распаяны с одной стороны. Производитель - Micron, модель чипов 6XA77 D9SRJ.

8 штук по 1 Гб каждый, заводской профиль - 2400 МГц @ CL16.


Правда, дома снимать теплораспределители не стоит - сорвёте пломбу и плакала ваша пожизненная 1 гарантия. Да и родные радиаторы отлично справляются с возложенными на них функциями.

Попробуем измерить эффект от разгона оперативки на примере комплекта HyperX Fury HX426C16FW2K4/32. Расшифровка названия даёт нам следующую информацию: HX4 - DDR4, 26 - заводская частота 2666 МГц, C16 - задержки CL16. Далее идёт код цвета радиаторов (в нашем случае - белый), и описание комплекта K4/32 - набор из 4 модулей суммарным объёмом 32 ГБ. То есть уже сейчас видно, что оперативка незначительно разогнана ещё при производстве: вместо штатных 2400 прошит профиль 2666 МГц с теми же таймингами.

Помимо эстетического удовольствия от созерцания четырёх «Белоснежек» в корпусе вашего ПК этот набор готов предложить весомых 32 гига памяти и нацелен на пользователей обычных процессоров, не особо балующихся разгоном CPU. Современные Intel’ы без буквы K на конце окончательно лишились всех возможных способов получения бесплатной производительности, и практически не получают никаких бонусов от памяти с частотой выше 2400 МГц.

В качестве тестовых стендов мы взяли два компьютера. Один на базе Intel Core i7-6800K и материнской плате ASUS X99 (он представляет платформу для энтузиастов с четырёхканальным контроллером памяти), второй с Core i5-7600 внутри (этот будет отдуваться за мэйнстримовое железо со встроенной графикой и отсутствующим разгоном). На первом проверим разгонный потенциал памяти, а на втором будем измерять реальную производительность в играх и рабочем софте.

Разгонный потенциал

Со стандартными профилями JEDEC и заводским X.M.P. память имеет следующие режимы работы:
DDR4-2666 CL15-17-17 @1.2V
DDR4-2400 CL14-16-16 @1.2V
DDR4-2133 CL12-14-14 @1.2V

Легко заметить, что настройки таймингов под 2400 МГц делают память не такой отзывчивой, как профили 2133 и 2666 МГц.
2133 / 12 = 177.75
2400 / 14 = 171.428
2666 / 15 = 177.7(3)

Попытки завести память на частоте 2900 МГц с повышением задержек до 16-17-18, 17-18-18, 17-19-19 и даже с подъёмом напряжения до 1.3 Вольта ничего не дали. Без серьёзных нагрузок компьютер работает, но фотошоп, архиватор или бенчмарк плюются ошибками или сваливают систему в BSOD. Похоже, что частотный потенциал модулей выбран до конца, и единственное, что нам остаётся - уменьшать задержки.

Лучший результат, который удалось достичь с тестовым комплектом из 4 модулей - 2666 МГц при таймингах CL13-14-13. Это существенно увеличит скорость доступа к случайным данным (2666 / 13 = 205.07) и должно показать неплохое улучшение результатов в игровом бенчмарке. В двухканальном режиме память разгоняется лучше: специалисты из oclab ухитрились довести комплект из двух 16 Гб модулей до частоты 3000 МГц @ CL14-15-15-28 с подъёмом напряжения до 1.4 Вольта - отличный результат.

Натурные испытания

Для нашего i5 со встроенной графикой в качестве бенчмарка мы выбрали GTA V. Игра не молодая, использует API DirectX 11, который давно известен и отлично вылизан в драйверах Intel, любит потреблять оперативную память и нагружает систему сразу по всем фронтам: GPU, CPU, Ram, чтение с диска. Классика. Вместе с этим GTA V использует т.н. «отложенный рендеринг», благодаря которому время расчёта кадра меньше зависит от сложности сцены, то есть методика испытания будет чище, а результаты - нагляднее.

За средний FPS возьмём значения, укладывающиеся в нормальное течение игры: пролёт самолёта, езда в городе, уничтожение супостатов имеют равномерный профиль нагрузки. По таким сценам (отбросив 1% лучших и худших результатов из массива данных) и получим средне-игровой FPS.

Просадки определим по сценам со взрывами и сложными эффектами (водопад под мостом, закатные пейзажи) аналогичным образом.

Подлагивания и неприятные фризы при резкой смене окружения (переключение от одного тестируемого случая к другому) случаются даже на монструозной GTX 1080Ti, постараемся их отметить, но в результаты не возьмём: в игре оно не встречается, и это, скорее, косяк самого бенчмарка.

Конфигурация демо-стенда

CPU: Intel Core i5-7500 (4c4t @ 3.8 ГГц)
GPU: Intel HD530
RAM: 32 GB HyperX Fury White (2133 МГц CL12, 2666 МГц CL15 и 2666 МГц CL13)
MB: ASUS B250M
SSD: Kingston A400 240 GB

Для начала выставим стандартные частоты X.M.P.-профиля: 2666 МГц с таймингами 15-17-17. Встроенный бенчмарк GTA V выдаёт идентичный FPS и одинаковые просадки на минимальных и средних настройках в разрешении 720p: в большинстве сцен счётчик колеблется в районе 30–32, а в тяжёлых сценах и при смене одной локации на другую FPS проседает.

Причина очевидна - мощностей GPU достаточно, а вот блоки растеризации просто не успевают собрать и отрисовать большее число кадров в секунду. На «высоких» настройках графики результаты стремительно ухудшаются: игра начинает упираться непосредственно в скромные вычислительные возможности интегрированной графики.

2133 МГц CL12

Собственной памяти у GPU нет, и он вынужден постоянно дёргать системную. Пропускная способность DDR4 в двухканальном режиме на частоте 2133 МГц составит 64 бит (8 байт) × 2 133 000 000 МГц × 2 канала - порядка 34 Гб/с, с небольшими (до 10%) накладными потерями.

Для сравнения, пропускная способность подсистемы памяти у самой скромной дискретной карточки NVIDIA GTX 1030 - 48 Гб/с, а GTX 1050 Ti (которая легко выдаёт в GTA V 60 FPS на максимальных настройках в FullHD) - уже 112 Гб/с.


На заднем плане виден тот самый водопад под мостом, просаживающий FPS во внутриигровом бенчмарке.

Результаты бенчмарка просели до 28 FPS в среднем, а лаги при смене локаций и взрывах их ненапряжных просадок превратились в неприятные микрофризы.

2666 МГц CL13

Снижение таймингов значительно сократило время ожидания ответа от памяти, а стандартные результаты с данной частотой у нас уже есть: можно будет сравнить три бенчмарка и получить наглядную картину. Пропускная способность для 2666 МГц уже 21.3 Гб/с ×2 канала ~ 40 Гб/с, сравнимо с младшей NVIDIA.

Максимальный FPS практически не вырос (0.1 не показатель и находится на грани погрешности измерений) - здесь мы всё ещё упираемся в скромные возможности ROP’ов, а вот все просадки стали менее заметны. В сценах с водопадом из-за высокой вычислительной нагрузки результат не изменился, во всех остальных - то есть на прогрузках, взрывах и прочих радостях, замедлявших работу видеоядра вырос в среднем на 10-15%. Вместо 25–27 кадров в нагруженных событиями эпизодах - уверенные 28–29. В целом игра стала ощущаться значительно комфортнее.

TL;DR и результаты

Нельзя оценивать скорость работы оперативной памяти по одной только частоте. У DDR4 достаточно большие тактовые задержки, и при прочих равных стоит выбирать память не только удовлетворяющую потребности вашего железа по рабочей частоте и объёму, но и уделять внимание этому параметру.

Проведённые тесты показали, что компьютеры на базе Intel Core i-серии со встроенной графикой получают заметный прирост производительности при использовании высокоскоростной памяти с низкими задержками. Видеоядро не имеет собственных ресурсов для хранения и обработки данных и пользуется системными отлично отвечает (до определённого предела) на рост частоты и снижение таймингов, так как от скорости доступа к памяти напрямую зависит время отрисовки кадра со множеством объектов.

Самое важное! Линейка Fury выпускается в нескольких цветах: белом, красном и чёрном - можно подобрать не только быструю память, но и подходящую по стилю к остальным комплектующим, как делают специалисты из

Случайные статьи

Вверх